Samsung 990 PRO Heatsink M.2 (1TB)
- 1 TB Speicherkapazität
- Formfaktor PCIe 4.0 NVMe™ M.2 (2280)
- Lesegeschwindigkeit bis zu 7.450 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.900 MB/s
- Bis zu 1.200.000 IOPS Random Read (4 KB, QD32)
- Bis zu 1.550.000 IOPS Random Write (4 KB, QD32)
- V-NAND Technologie
Samsung 990 PRO Heatsink M.2 (1TB)
- 1 TB Speicherkapazität
- Formfaktor PCIe 4.0 NVMe™ M.2 (2280)
- Lesegeschwindigkeit bis zu 7.450 MB/s
- Schreibgeschwindigkeit bis zu 6.900 MB/s
- Bis zu 1.200.000 IOPS Random Read (4 KB, QD32)
- Bis zu 1.550.000 IOPS Random Write (4 KB, QD32)
- V-NAND Technologie
Ausstattung & Technik
Lesegeschwindigkeit (MB/s)7450
Schreibgeschwindigkeit (MB/s)6900
Random Read (IOPS)1200000
Random Write (IOPS)1550000
Gehäuse-Eigenschaften
Gewicht (g)28
min. Luftfeuchtigkeit (%)5
max. Luftfeuchtigkeit (%)95
Stromversorgung
Leistungsaufnahme (W)7.8
Strom-Spar-Funktionja
Leistungseigenschaften
Lesegeschwindigkeit (MB/s)7450
Schreibgeschwindigkeit (MB/s)6900
Solid-State-Disk (GB)1000
Random Read (IOPS)1200000
Random Write (IOPS)1550000
mittl. Lebensdauer MTBF (in Tsd. Std.)1500
NVM Express (NVMe)ja
Schnittstellen
M.2 Schnittstelleja
PCIe 4.0 x4 Schnittstelleja
Ausstattung
Solid-State-Diskja
PlayStation 5 kompatibelja
Verpackungsangaben
Gewicht mit Verpackung (kg)78.5
Hersteller
Samsung
PO Box
IE 12987 Dublin
www.samsung.com
Verantwortliche Person
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
DE 65824 Schwalbach
https://www.samsung.com/de/
